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光电开关传感器的光电荷产生条件先容
 
更新时间:2014.10.06 浏览次数:
 

  构成ccd的基本单元是mos电容器。与其他电容器一样,mos电容器能够存储器电荷,如果mos电容器中的半导体是p型硅,当在金属电极上施加一个正电压ug时,p型硅中的多数载流子空穴受到排斥,半导体内的涒数流子电子被吸引到p-si界面处,从而在界面附近形成一个带负电荷的耗尽区,也称表面势阱,对带负电的电子来说,耗尽区是个势能很低的区域。

  如果有光照射在硅片上,在光子作用下,半导体硅产生了电子-空穴对,由此产生的光电开关传感器的光生电子就被附近的势阱所吸取,势阱内所吸取的光生电子数量与入射到该势阱附近的光强成正比,存储器了电荷的势阱被称为电荷包,而同时产生的空穴被排斥出耗尽区。并且在一定的条件下,所加正电压ug越大,耗尽层就越深,si表面吸取少数载流子表面势半导体表面对于衬底的电势差也越大,这时势力阱所能容纳的少数载流子电荷的量就越大。势阱中电荷包大小主要决定于所加正电压ug大小,入射到该势阱附近的光强。后者是光强的模拟电荷,从而完成光转换成电荷的过程。

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